Antiferomagnetické paměti by se díky své rychlosti, odolnosti a schopnosti zapisovat víc stavů než jen nuly a jedničky mohly stát ideálním „hostitelem“ umělé inteligence.
Tomáš Jungwirth vede Oddělení spintroniky a nanoelektroniky ve Fyzikálním ústavu. V roce 2016 jeho tým představil v prestižním časopise Science první prototyp antiferomagnetické paměti na světě. Byla funkční, dala se připojit do USB, ale měla kapacitu jen několika bitů a nijak oslnivou rychlost. Od té doby vývoj pokročil a v budoucnu by se antiferomagnetické materiály mohly stát základem pro novou generaci pamětí.
Jaké jsou výhody antiferomagnetických pamětí?
U klasických polovodičových pamětí platí, že mohou být buď rychlé, pak si ale informaci pamatují jen zlomek vteřiny a musí být neustále napájeny, nebo do nich – v případě „flash“ pamětí – můžeme informace ukládat permanentně, pak jsou ale mnohem pomalejší a nemohou přímo spolupracovat s rychlým procesorem. Kromě polovodičových existují i magnetické paměti. Tradičně se využívají velkokapacitní pevné disky, na které se informace ukládají permanentně, ovšem jejich nevýhodou je pomalost.
My náš výzkum zaměřujeme na rychlé paměti realizované v magnetickém médiu, které spojují výhody obou světů. Informace se do nich ukládají permanentně a není je potřeba napájet, zároveň jsou však velmi rychlé. Takové paměti založené na klasických feromagnetických materiálech jsou už dnes komerčně dostupné (nazývají se MRAM – pozn. red.).
Celý článek je dostupný předplatitelům týdeníku Hrot